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在 PCB 布线(Layout)中,如果外挂的 SiC SBD 与 SiC MOSFET 之间的走线寄生电感过大,最核心的负面影响是:SBD 的“旁路(Bypass)失效”
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在 PCB 布线(Layout)中,如果外挂的 SiC SBD 与 SiC MOSFET 之间的走线寄生电感过大,最核心的负面影响是:SBD 的“旁路(Bypass)失效”
在 PCB 布线(Layout)中,如果外挂的 SiC SBD 与 SiC MOSFET 之间的走线寄生电感过大,最核心的负面影响是:SBD 的“旁路(Bypass)失效”
发布时间:2026/8/5 12:03:43
在 PCB 布线(Layout)中,如果外挂的 SiC SBD 与 SiC MOSFET 之间的走线寄生电感(LtraceL_{\text{trace}}Ltrace